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LSIC1MO120E0080 /MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
LSIC1MO120E0080的规格信息
LSIC1MO120E0080的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Littelfuse

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:39 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V

Qg-栅极电荷:95 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:179 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:LSIC1MO

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Littelfuse

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商LSIC1MO120E0080
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深圳市河锋鑫科技有限公司LSIC1MO120E0080华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司LSIC1MO120E0080深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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LSIC1MO120E0080LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET LITTELFUSE[Littelfuse]LITTELFUSE[Littelfuse]的LOGO898.6 Kbytes共8页LSIC1MO120E0080的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3$18.30000
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Mouser 贸泽电子		LSIC1MO120E0080LittelfuseMOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET1:¥152.1432
10:¥138.312
25:¥127.9386
50:¥121.4072
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立创商城		LSIC1MO120E0080IXYS连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：4V @ 10mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 20A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道1+:￥101.43
30+:￥98.35
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