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LPW682M1HO45V-W /
LPW682M1HO45V-W的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

容值:6800uF

偏差:±20%

电压:50V

ESR(等效串联电阻):73 毫欧 @ 120Hz

不同温度时的使用寿命:85°C 时为 1000 小时

工作温度:-40°C ~ 85°C

极化:极化

应用:通用

纹波电流 @ 低频率:3.37A

频率,耦合至纹波电流 @ 低频率:120Hz

纹波电流 @ 高频率:4.044A

频率,耦合至纹波电流 @ 高频率:100kHz

引线间距:0.394"(10.00mm)

尺寸:0.984" 直径(25.00mm)

高度 - 安装(最大值):1.772"(45.00mm)

安装类型:通孔

封装/外壳:径向,Can - 卡入式

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LPW682M1HO45V-W
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现代芯城(深圳)科技有限公司LPW682M1HO45V-W深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯世界半导体有限公司LPW682M1HO45V-W深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824013267088774(微信同号)SamEmail:1039073151@qq.com询价
苏州芯华胜半导体科技有限公司LPW682M1HO45V-W江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
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深圳市诺普迅电子科技有限公司LPW682M1HO45V-W嘉汇新城汇商中心281818928437827 13079621333
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深圳市振钰科技有限公司LPW682M1HO45V-W深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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上海三崧电子有限公司LPW682M1HO45V-W上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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LPW682M1HO45V-W85 ˚C Snap-In Aluminum Electrolytic Capacitors CDE[Cornell Dubilier Electronics]CDE[Cornell Dubilier Electronics]的LOGO161.7 Kbytes共3页LPW682M1HO45V-W的PDF下载地址LP472M016A1P3,SLP103M010A1P3,159PUL-SI,AVRF226M06B12T-F,B43508,056PSM-SI,3410DF472M100HPA1,SEK101M6R3ST,157PUM-SI
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LPW682M1HO45V-WCornell Dubilier铝电容器 LPW 电容器价格未公开
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