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LP3407LT3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
LP3407LT3G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.1A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻70mΩ @ 4.1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W

类型P沟道

供应商LP3407LT3G
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LP3407LT3GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道10+:¥0.270432
100+:¥0.197811
300+:¥0.184473
1000+:¥0.171134
5000+:¥0.165206
10000+:¥0.162277