LP3407LT3G
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
LP3407LT3G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.1A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻70mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道
LP3407LT3G
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LP3407LT3G | 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET | LRC[Leshan Radio Company] | ![LRC[Leshan Radio Company]的LOGO](/PdfSupLogo/84LRC.GIF) | 316.13 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | LP3407LT3G | LRC(乐山无线电) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | 10+:¥0.270432 100+:¥0.197811 300+:¥0.184473 1000+:¥0.171134 5000+:¥0.165206 10000+:¥0.162277
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