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LP2301LT1G /电源管理IC开发工具
LP2301LT1G的规格信息
LP2301LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装形式Package:SOT-23

极性Polarity:P

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:2.3A

漏源极导通电阻RDS(ON):0.1Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):0.4V

封装/外壳:SOT-23

VDSS(V):20

ID(A):2.3

VGS(th)Min(V):.4

VGS(th)Max(V):.9

RDS(on) (m?):100

@VGS(V)/IDS(A):4.5/2.8

Polarity:P-Channel

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LP2301LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司LP2301LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司LP2301LT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城LP2301LT1G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市成源运利电子科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市赛美科科技有限公司LP2301LT1G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市百域芯科技有限公司LP2301LT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司LP2301LT1G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市星宇佳科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市河锋鑫科技有限公司LP2301LT1G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳诚思涵科技有限公司LP2301LT1G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市科思奇电子科技有限公司LP2301LT1G上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司LP2301LT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市博浩通科技有限公司LP2301LT1G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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LP2301LT1G20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO809.31 Kbytes共5页LP2301LT1G的PDF下载地址TSM3441,TSM3443,ZXM62P02E6_04,TSM6981D,LN2302LT1G,ZXM64P02X_04,GF4435,TC1550,ZXM66P02N8_04,MTP2301N3
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LP2301LT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道10+:¥0.216685
100+:¥0.16624
300+:¥0.156975
1000+:¥0.147709
5000+:¥0.143591
10000+:¥0.141557