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LP0404N3T5G /
LP0404N3T5G的规格信息
LP0404N3T5G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:SOT883

VDSS(V):20

ID(A):1.4

VGS(th)Min(V):.5

VGS(th)Max(V):1.2

RDS(on) (m?):480

@VGS(V)/IDS(A):4.5/0.1

Polarity:P-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:

供应商LP0404N3T5G
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深圳市博浩通科技有限公司LP0404N3T5G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市芯幂科技有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司LP0404N3T5G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城LP0404N3T5G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司LP0404N3T5G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市星宇佳科技有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市凌特半导体科技有限公司LP0404N3T5G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司LP0404N3T5G深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588
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深圳市华芯盛世科技有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技(深圳)有限公司LP0404N3T5G深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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深圳市金华微盛电子有限公司LP0404N3T5G深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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LP0404N3T5G20V, P-Channel (D-S) MOSFET LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO1380.59 Kbytes共5页LP0404N3T5G的PDF下载地址
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LP0404N3T5GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:480mΩ @ 780mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道10+:¥0.240144
100+:¥0.180168
300+:¥0.169152
1000+:¥0.158136
5000+:¥0.15324
10000+:¥0.150821