LNSA3400
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.35V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
LNSA3400的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A
栅源极阈值电压1.35V @ 250uA
漏源导通电阻26mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型N沟道
LNSA3400
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LNSA3400 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.35V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 957.76 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | LNSA3400 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.35V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 | 10+:¥0.253417 100+:¥0.188443 300+:¥0.176509 1000+:¥0.164575 5000+:¥0.159271 10000+:¥0.15665
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