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LMBD7000LT1G /电源管理IC开发工具
LMBD7000LT1G的规格信息
LMBD7000LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装形式Package:SOT-23

平均整流电流Io:200mA

最大反向电压VR:100V

反向恢复时间trr:4ns

反向漏电流IR:1uA

正向压降VF:1.1V

封装/外壳:SOT-23

VR(V):100

Io(mA):200

VFMax((V):1.1

IRMax(μA):1

trr(ns):4

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LMBD7000LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司LMBD7000LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司LMBD7000LT1G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司LMBD7000LT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市凌特半导体科技有限公司LMBD7000LT1G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市博浩通科技有限公司LMBD7000LT1G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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现代芯城(深圳)科技有限公司LMBD7000LT1G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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LMBD7000LT1GLRC Leshan Radio Co Ltd3 PIN SMT SWITCHING DIDOES30,000 : $0.011
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LMBD7000LT1GLRC(乐山无线电)正向压降(Vf):1.1V @ 100mA 直流反向耐压(Vr):100V 反向恢复时间(trr):4ns 平均整流电流(Io):200mA50+:¥0.073651
500+:¥0.056384
1500+:¥0.053213
5000+:¥0.050041
25000+:¥0.048632
50000+:¥0.047935