驱动配置：半桥

通道类型：同步

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：8 V ~ 14 V

逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2.2V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.2A，1.8A

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：118V

上升/下降时间（典型值）：15ns，10ns

工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：10-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：10-WSON（4x4）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs