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LM385BZ-1.2/NOPB /参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode
LM385BZ-1.2/NOPB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:参考电压

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

参考类型:Shunt Precision References

输出电压:1.235 V

初始准确度:2 %

温度系数:150 PPM / C

分流电流—最大值:20 mA

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

系列:LM385-1.2-N

封装:Bulk

准确性:20 mV

描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE

高度:5.2 mm

长度:5.2 mm

工作温度范围:0 C to + 70 C

产品:Voltage References

宽度:4.19 mm

商标:Texas Instruments

分流电流—最小值:10 uA

拓扑结构:Shunt References

负载调节:20 mV

产品类型:Voltage References

工厂包装数量:1800

子类别:PMIC - Power Management ICs

单位重量:453.600 mg

供应商LM385BZ-1.2/NOPB
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深圳市芯幂科技有限公司LM385BZ-1.2/NOPB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240517080955875
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LM385BZ-1.2/NOPBLM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO1210.08 Kbytes共23页LM385BZ-1.2/NOPB的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsPMIC - 电压基准 - 集成电路 (IC) 半导体 参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1+:¥7.42
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ChipOneStop
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsPMIC - 电压基准 - 集成电路 (IC) 半导体 参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1+:¥7.42
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Digi-Key 得捷电子
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsPMIC - 电压基准 - 集成电路 (IC) 半导体 参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1+:¥7.42
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Digi-Key 得捷电子
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsIC VREF SHUNT 1% TO92-3$1.14000
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element14 e络盟电子
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsPMIC - 电压基准 - 集成电路 (IC) 半导体 参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1+:¥7.42
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Mouser 贸泽电子
LM385BZ-1.2/NOPBTexas InstrumentsPMIC - 电压基准 - 集成电路 (IC) 半导体 参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1+:¥7.42
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
LM385BZ-1.2/NOPBTexas Instruments参考电压 MicroPwr Vtg Ref Diode1:¥8.2942
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
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Verical
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立创商城
LM385BZ-1.2/NOPBTI(德州仪器)温度系数:150ppm/°C 精度:±1% 输出电压(最小值/固定):1.235V1+:¥4.5
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