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LBC857CDW1T1G /
LBC857CDW1T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Device Marking:3G

Ic(mA):100

Vceo(V):45

hFE Min/Max:420/800

hFE Ic(mA)/VCE(V):2/5

VCE(sat) Max(Volts):0.65

VCE(sat) IC/IB(mA):100/5

fTTYP(MHz):100

Style:F

封装/外壳:SC-88

Qualified to AECQ101:Y

封装/外壳:SC-88

Ic(mA):100

VCEO(V):45

hFEMin/Max:420/800

Ft(MHz):100

Polarity:F

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LBC857CDW1T1G
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深圳市坤融电子有限公司LBC857CDW1T1G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司LBC857CDW1T1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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18126442734
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深圳市宇浩扬科技有限公司LBC857CDW1T1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市河锋鑫科技有限公司LBC857CDW1T1G华强北都会轩26010755-23903154
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13923432237
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LBC857CDW1T1GDual General Purpose Transistors LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO134.71 Kbytes共6页LBC857CDW1T1G的PDF下载地址
LBC857CDW1T1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]的LOGO462.3 Kbytes共6页LBC857CDW1T1G的PDF下载地址
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LBC857CDW1T1GLRC(乐山无线电)集电极电流Ic:100mA 额定功率:380mW 晶体管类型:2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce:45V20+:¥0.172532
200+:¥0.130549
600+:¥0.122838
2000+:¥0.115127
10000+:¥0.1117
20000+:¥0.110006