DC 电阻（DCR）：80 毫欧
频率 - 自谐振：190MHz
等级：AEC-Q200
工作温度：-40°C ~ 105°C
频率 - 测试：100kHz
安装类型：表面贴装
尺寸 ：0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）
高度 - 安装（最大值）：0.106"（2.70mm）
类型：绕线
感值：2.2µH
偏差：±20%
额定电流：930mA
屏蔽：无屏蔽
存储器类型：非易失
存储器格式：CBRAM®
技术：CBRAM
存储容量：64kb（32B 页面尺寸）
时钟频率：5MHz
写周期时间 - 字，页：100µs，3ms
存储器接口：SPI
电压 - 电源：2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+
核心尺寸：32-位
速度：48MHz
连接性：I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB
外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
I/O 数：26
程序存储容量：64KB（64K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 容量：8K x 8
电压 - 电源（Vcc/Vdd）：1.62 V ~ 3.6 V
数据转换器：A/D 10x12b，D/A 1x10b
振荡器类型：内部
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs