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LBAS16BST5G /
LBAS16BST5G的规格信息
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Device Marking:6

Vr(V):75

IF(mA):200

Vf_Max(V):0.715

VFIF(mA):1

Ir_Max(µA):1

Ir_Vr(V):75

trr(ns):4

封装/外壳:SOD-882

Qualified to AECQ101:Y

封装/外壳:SOD-882

VR(V):75

Io(mA):200

VFMax((V):.715

IRMax(μA):1

trr(ns):4

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LBAS16BST5G
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17318082080,13510287235
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现代芯城(深圳)科技有限公司LBAS16BST5G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152
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13352985419,19076157484
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13352985419
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13360063783
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18126442734
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13826514222
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13430590551
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13923432237
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15989349634,13798567707
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13723794312
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18818598465
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2000+:¥0.080462
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20000+:¥0.076493