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L6491D /High voltage high and low-side 4 A gate driver
L6491D的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

驱动配置：半桥

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压-电源：10 V ~ 20 V

逻辑电压 -VIL，VIH：1.45V，2V

电流-峰值输出（灌入，拉出）：4A，4A

输入类型：非反相

高压侧电压-最大值（自举）：600V

上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns

工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：14-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

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深圳市百域芯科技有限公司L6491DTR世纪汇都会轩45070755-82788062
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L6491D的全球分销商及价格
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