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KSP13TA /达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
KSP13TA的规格信息
KSP13TA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

最大直流电集电极电流:0.5 A

最大集电极截止电流:0.1 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3 Kinked Lead

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:KSP13

封装:Ammo Pack

高度:4.7 mm

长度:4.7 mm

宽度:3.93 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:5000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:KSP13TA_NL

单位重量:240 mg

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