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KSD560RTU /达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
KSD560RTU的规格信息
KSD560RTU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—基极电压 VCBO:150 V

最大直流电集电极电流:5 A

最大集电极截止电流:1 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:KSD560

封装:Tube

高度:9.4 mm

长度:10.1 mm

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:2000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

零件号别名:KSD560RTU_NL

单位重量:1.800 g

供应商KSD560RTU
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深圳市坤融电子有限公司KSD560RTU航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司KSD560RTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城KSD560RTU深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司KSD560RTU深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城KSD560RTU深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市高捷芯城科技有限公司KSD560RTU深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市凌特半导体科技有限公司KSD560RTU广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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KSD560RTUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl1+:¥5.46
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Digi-Key 得捷电子
KSD560RTUON SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 5A TO-220Obsolete
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
KSD560RTUON Semiconductor / Fairchild达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl2,000:¥2.7911
3,000:¥2.3504
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Rochester
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