KMA3D0N20SA-RTK/P
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
KMA3D0N20SA-RTK/P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻55mΩ @ 2.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W
类型N沟道
KMA3D0N20SA-RTK/P
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| KMA3D0N20SA-RTK/P | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | KEC |  | 756.81 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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10+:￥0.7487
30+:￥0.7028
100+:￥0.6569
500+:￥0.6365
1000+:￥0.6264
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