KI2333CDS
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
KI2333CDS的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.1A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻35mΩ @ 5.1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道
KI2333CDS
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KI2333CDS | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | KEXIN(科信) |  | 1.92 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
KI2333CDS的全球分销商及价格
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 立创商城 | KI2333CDS | KEXIN(科信) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | 10+:¥0.31528 100+:¥0.230314 300+:¥0.214708 1000+:¥0.199102 5000+:¥0.192166 10000+:¥0.188739
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