KI005PDFN
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
KI005PDFN的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.1A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 4.1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道
KI005PDFN
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KI005PDFN | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | KEXIN(科信) |  | 773.77 Kbytes | 共2页 |  | 无 |
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