包装散装
系列-
零件状态停產
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）5.5V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）3.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2.4 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）6nC @ 3.5V
Vgs（最大值）±5.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）940pF @ 5.5V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装6-WLCSP（1.47x1.47）
封装/外壳6-SMD，无引线