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KF7N60F-U/PS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.2Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)41W(Tc)

类型N沟道

供应商KF7N60F-U/PS
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KF7N60F-U/PS连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W(Tc) 类型:N沟道KECKEC的LOGO396.32 Kbytes共7页KF7N60F-U/PS的PDF下载地址
KF7N60F-U/PSF连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:N沟道KECKEC的LOGO396.32 Kbytes共7页KF7N60F-U/PSF的PDF下载地址
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KF7N60F-U/PSFKEC连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:N沟道1+:¥2.8
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