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KDT3055L /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
KDT3055L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻100mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3W

类型N沟道

供应商KDT3055L
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深圳市芯幂科技有限公司KDT3055L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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KDT3055LKEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥1.1968
10+:¥0.8969
30+:¥0.8418
100+:¥0.7868
500+:¥0.7623
1000+:¥0.7502