KDT3055L
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
KDT3055L的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型N沟道
KDT3055L
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KDT3055L | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | ![KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/568KEXIN.GIF) | 873.32 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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