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KCM3560A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):379W 类型:N沟道
KCM3560A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻56mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)379W

类型N沟道

供应商KCM3560A
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KCM3560AKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):379W 类型:N沟道1+:¥34.37
10+:¥25.87
30+:¥24.31
100+:¥22.75
500+:¥22.06
1000+:¥21.71