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KCF9860A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:81mΩ @ 15.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
KCF9860A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)47A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻81mΩ @ 15.6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W

类型N沟道

供应商KCF9860A
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KCF9860A连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:81mΩ @ 15.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO133.71 Kbytes共5页KCF9860A的PDF下载地址
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KCF9860AKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:81mΩ @ 15.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道1+:¥15.25
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