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K2N7002K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
K2N7002K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型N沟道

供应商K2N7002K
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K2N7002K连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道KODENSHI AUK(光电子)KODENSHI AUK(光电子)的LOGO771.34 Kbytes共7页K2N7002K的PDF下载地址
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K2N7002KKODENSHI AUK(光电子)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.149711
200+:¥0.110726
600+:¥0.103566
2000+:¥0.096405
10000+:¥0.093223
20000+:¥0.09165