制造商:Microchip

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:否

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UB-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:75 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:300 mV

最大直流电集电极电流:800 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值:75 at 1 mA, 10 VDC

高度:1.8 mm

长度:3.25 mm

封装:Waffle

宽度:2.74 mm

商标:Microchip / Microsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min:325 at 1 mA, 10 VDC

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors