JST8205S
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道
JST8205S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.8A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻27.5mΩ @ 4A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型双N沟道
JST8205S
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| JST8205S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 | JESTEK(吉思泰) |  | 843.34 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | JST8205S | JESTEK(吉思泰) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 | 10+:¥0.313041 100+:¥0.226076 300+:¥0.210103 1000+:¥0.19413 5000+:¥0.18703 10000+:¥0.183523
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