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JMTL2N7002K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW(Tc) 类型:N沟道
JMTL2N7002K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA(Tc)

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻2.8Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW(Tc)

类型N沟道

供应商JMTL2N7002K
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JMTL2N7002K连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW(Tc) 类型:N沟道JJW(捷捷微)JJW(捷捷微)的LOGO180.11 Kbytes共4页JMTL2N7002K的PDF下载地址
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JMTL2N7002KJJW(捷捷微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW(Tc) 类型:N沟道20+:¥0.160821
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