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JANTXV2N6353 /JANTXV Series 150 V 1 A NPN Power Silicon Transistor - TO-213AA (TO-66)
JANTXV2N6353的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:军用,MIL-PRF-19500/472

晶体管类型:NPN - 达林顿

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):2.5V @ 10mA,5A

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,5V

功率-最大值:2W

工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-66(TO-213AA)

封装形式Package:TO-213AA

极性Polarity:NPN

集电极最大允许电流Ic:5A

集电极_发射极击穿电压VCEO:150V

无铅情况/RoHs:

供应商JANTXV2N6353
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JANTXV2N6353NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO55.76 Kbytes共2页JANTXV2N6353的PDF下载地址BSP52T1,NTE267,BSP52T1,MJ10006,JANTX2N6284,2SD2165,CSD1638,UPA1428A,BU323AP,2N6388
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