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JANTXV2N3501UB /mil spec jantxv transistor
JANTXV2N3501UB的规格信息
JANTXV2N3501UB的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:军用,MIL-PRF-19500/366

晶体管类型:NPN

电流-集电极(Ic)(最大值):300mA

电压-集射极击穿(最大值):150V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA

电流-集电极截止(最大值):10µA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率-最大值:500mW

工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:UB

无铅情况/RoHs:

供应商JANTXV2N3501UB
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JANTXV2N3501UBMicrosemi双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT1:¥263.0979
5:¥249.8882
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JANTXV2N3501UB/TRMicrosemi双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)100:¥209.163
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