制造商:Microchip
产品种类:射频(RF)双极晶体管
RoHS:否
晶体管类型:Bipolar
技术:Si
晶体管极性:NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极连续电流:40 mA
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:UB-3
封装:Reel
商标:Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流:40 mA
Pd-功率耗散:200 mW
产品类型:RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors