FET 类型：4 个 N 通道
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V
功率 - 最大值：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：14-DIP
供应商器件封装：MO-036AB
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs