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JANTX2N6796 / MOS cc FET
JANTX2N6796的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microsemi

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:28.51 nC

最大工作温度:+ 150 C+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-205AF

封装:Reel

商标:Microsemi

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:45 ns

正向跨导 - 最小值:-

最小工作温度:- 55 C

上升时间:75 ns

技术:-

典型关闭延迟时间:300 ns

典型接通延迟时间:30 ns

VendorNumber:6961

供应商JANTX2N6796
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深圳市芯幂科技有限公司JANTX2N6796深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司JANTX2N6796深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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JANTX2N6796POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=8.0A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO236.45 Kbytes共6页JANTX2N6796的PDF下载地址SHD225701,SHD224701,MRF141,STD100NH03L,STB45NF06,STB75NF75,STB90NF03L,STD12NF06L,AF70N02
JANTX2N6796100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO47.64 Kbytes共5页JANTX2N6796的PDF下载地址IRF630FI,IXTQ50N20P,PJD15N06L,PJD09N03,PJD03N03,PJD06N03,PJP75N06,PJP75N75,APM7312,P75N02LD
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JANTX2N6796UREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO201.42 Kbytes共7页JANTX2N6796U的PDF下载地址IRFE024,IRF044,IRF240,IRFAC40,EMD4DXV6T1,EMC2DXV5T1_05,SMS1546,KSH44H11I,DTC114EXV3T1,MMBT5400
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