图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V
漏源电压(Vdss):40V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):15mA @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):16pF @ 20V
电阻 - RDS(开):50 Ohms
功率 - 最大值:360mW
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs