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JAN2N720A /JAN Series 80 V 500 mA NPN Through Hole Low Power Silicon Transistor - TO-18
JAN2N720A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:军用,MIL-PRF-19500/182

晶体管类型:NPN

电流-集电极(Ic)(最大值):500mA

电压-集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):5V @ 15mA,150mA

电流-集电极截止(最大值):10µA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V

功率-最大值:500mW

工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-18(TO-206AA)

无铅情况/RoHs:

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JAN2N720ANPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO59.01 Kbytes共2页JAN2N720A的PDF下载地址MRF553,MRF555,ZXTDBM832,MRF557,MRF8372,JAN2N3019S,UPA1434,MRF837,UPA1454,2N930
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JAN2N720AMicrosemi CorporationNPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk价格未公开
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