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J211-D74Z /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
J211-D74Z的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:JFET

技术:Si

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V

Id-连续漏极电流:20 mA

最大漏极/栅极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

封装:Ammo Pack

配置:Single

高度:5.33 mm

长度:5.2 mm

产品:RF JFET

系列:J211

类型:JFET

宽度:4.19 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

闸/源截止电压:- 4.5 V

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:J211_D74Z

单位重量:201 mg

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