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IRFC120NB /MOSFET 100V 9.4A DIE
IRFC120NB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesHEXFET®

PackageBulk

FET Type-

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.4A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageDie

Package / CaseDie

供应商IRFC120NB
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