FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：620pF @ 25V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），68W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-262

封装/外壳：TO262

通道类型：P

最大连续漏极电流：14 A

最大漏源电压：55 V

最大漏源电阻值：100 m0hms

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：I2PAK (TO-262)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：68 W

最高工作温度：+175 °C

长度：10.67mm

最低工作温度：-55 °C

高度：9.65mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：4.2S

正向二极管电压：1.6V

系列：HEXFET

尺寸：10.67 x 4.83 x 9.65mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：35 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：620 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：30 ns

典型接通延迟时间：13 ns

宽度：4.83mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs