XPackage：TO-262

包装：3TO-262

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：14 A

RDS -于：200@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：15 ns

典型上升时间：58 ns

典型关闭延迟时间：45 ns

典型下降时间：46 ns

工作温度：-55 to 175 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

连续漏极电流：14 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：3.8 W

漏源导通电阻：0.2 ohm

工作温度范围：-55C to 175C

包装类型：TO-262

引脚数：3 +Tab

极性：P

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：100 V

弧度硬化：No

associated：80-4-5