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IRF7379QPBF / MOSFET AUTO HEXFET SO-8
IRF7379QPBF的规格信息
IRF7379QPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:5.8 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Qg-栅极电荷:16.7 nC

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

商标:International Rectifier

供应商IRF7379QPBF
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