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IRF7341GTRPBF /MOSFET PLANAR_MOSFETS
IRF7341GTRPBF的规格信息
IRF7341GTRPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:5.1 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms, 65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29 nC, 29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:10.4 S, 10.4 S

下降时间:12.5 ns, 12.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.7 ns, 7.7 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns, 31 ns

典型接通延迟时间:9.2 ns, 9.2 ns

零件号别名:SP001563394

单位重量:506.600 mg

供应商IRF7341GTRPBF
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