图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:International Rectifier
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:- 5.2 A
Vds-漏源极击穿电压:- 20 V
Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms
晶体管极性:P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :12 V
Qg-栅极电荷:19 nC
Pd-功率耗散:2.4 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
商标:International Rectifier
配置:Dual