产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF6607 Saber Model IRF6607 Spice Model

标准包装：4,800

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：27A（Ta），94A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：75nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：6930pF @ 15V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MT

供应商器件封装：DIRECTFET? MT

其它名称：IRF6607-NDIRF6607TR