封装/外壳：TO-204AA

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：120nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

系列：HEXFET®

FET类型：N 沟道

DraintoSourceVoltage(Vdss)：500V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：120nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：500 毫欧 @ 12A，10V

供应商器件封装：TO-204AA（TO-3）

无铅情况/RoHs：否