制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-5

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Source

下降时间:86 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:120 ns

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:19 ns