Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

配置 ：High and Low Side, Independent

Input 型 ：Non-Inverting

延迟时间 ：160ns

电流 - 峰值：210mA

配置数：1

输出数 ：2

高压侧电压 - 马克斯（引导）：600V

- 电源电压：10 V ~ 20 V

操作温度 ：-40°C ~ 125°C

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SOICN

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8SOIC

驱动器类型：High and Low Side

驱动程序配置：Non-Inverting

输出数：2

最大工作电源电压：20 V

最低工作电源电压：10 V

峰值输出电流：0.36(Typ) A

最大功率耗散：625 mW

输入逻辑相容性：CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V|15V

最大上升时间：170 ns

最大开启延迟时间：50 ns

最大下降时间：90 ns

最大电源电流：0.27 mA

工作温度：-40 to 125 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

安装类型：Surface Mount

配置数：1

供应商设备封装：8-SOIC N

封装：Tape & Reel (TR)

电压 - 电源：10 V ~ 20 V

输入类型：Non-Inverting

高端电压 - 最大值（自启动）：600V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

配置：High and Low Side, Independent

电流 - 峰值：210mA

延迟时间：160ns

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：IR2101SPBFDKR

工厂包装数量：2500

类型：High Side/Low Side

最大关闭延迟时间：220 ns

下降时间：50 ns

产品：MOSFET Gate Drivers

最高工作温度：+ 125 C

电源电压 - 最大：20 V

电源电压 - 最小：10 V

RoHS：RoHS Compliant

输出电流：0.36 A

驱动器数：2

安装风格：SMD/SMT

输出电压：10 V to 20 V

最低工作温度：- 40 C

上升时间：100 ns

电源电流：30 uA

输入逻辑电平：CMOS/LSTTL

功率耗散：0.625 W

工作温度范围：-40C to 125C

包装类型：SOIC

引脚数：8

启动时间（最大值）：50 us

传播延迟时间：220 ns

工作温度分类：Automotive

关断延迟时间：50 ms

弧度硬化：No

工作电源电压（最小值）：10 V

工作电源电压（最大值）：20 V

设备类型：:IGBT, MOSFET

Module Configuration：:High and Low Side

Supply Voltage Min：:10V

Supply Voltage Max：:20V

Driver Case Style：:SOIC

No. of Pins：:8

Input Delay：:160ns

Output Delay：:150ns

Operating Temperature Min：:-40°C

Operating Temperature Max：:125°C

MSL：:MSL 2 - 1 year

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Weight (kg)：2.27