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IPW60R037CSFD /连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.63mA 漏源导通电阻:37mΩ @ 32.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):245W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)54A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 1.63mA

漏源导通电阻37mΩ @ 32.6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)245W(Tc)

类型N沟道

供应商IPW60R037CSFD
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