包装剪切带（CT）
系列CoolMOS™S7
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）12V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）22 毫欧 @ 23A，12V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 1.44mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）150nC @ 12V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5639pF @ 300V
FET 功能-
功率耗散（最大值）390W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOF-8-2
封装/外壳8-PowerSFN