FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：328pF @ 100V

功率耗散（最大值）：37W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 1.5A，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-251

封装/外壳：PG-TO251-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：7.2 A

最大漏源电压：700 V

最大漏源电阻值：1 0hms

最大栅阈值电压：3.5V

最小栅阈值电压：2.5V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：IPAK (TO-251)

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：68 W

典型接通延迟时间：6.6 ns

典型关断延迟时间：41 ns

典型输入电容值@Vds：328 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：15.3 nC @ 10 V

系列：CoolMOS CE

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：2.4mm

长度：6.73mm

高度：6.22mm

正向二极管电压：0.9V

尺寸：6.73 x 2.4 x 6.22mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs