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IPP80N06S2L-11 /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPP80N06S2L-11的规格信息
IPP80N06S2L-11的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：IPx80N06S2L-11

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 93µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2075pF @ 25V

功率 - 最大值：158W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO220-3

其它名称：IPP80N06S2L11AKSA1SP000218175

供应商IPP80N06S2L-11
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP80N06S2L-11深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPP80N06S2L-11华强广场C座18J0755-27381274
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