FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 790µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：52nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

功率耗散（最大值）：192W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO-220-3

封装/外壳：PG-TO220-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：21 A

最大漏源电压：600 V

最大漏源电阻值：400 m0hms

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TO-220

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：192 W

高度：9.45mm

正向二极管电压：1.2V

尺寸：10.36 x 4.57 x 9.45mm

宽度：4.57mm

每片芯片元件数目：1

系列：CoolMOS CP

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：10 V 时，39 常闭

典型输入电容值@Vds：2000 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：50 ns

典型接通延迟时间：12 ns

长度：10.36mm

最高工作温度：+150 °C

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs